在标准半导体加工工艺条件下,通过硅衬底剥离和背后减薄技术,制备高性能薄膜LED器件;将光源、波导和探测器三者单片集成,形成可见光通信微系统;再采用硅衬底剥离技术和III-V族表面深刻蚀,将可见光通信光源、系统转移到外部衬底;最终完成光源、光子器件和光电探测器等不同器件的晶圆级单片集成开发,成功研制空间传输、片内传输的高速可见光通信芯片,扩大可见光通信的应用场景,实现可见光通信的产业化。